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特惠现货IC697MDL753
文章来源：zexu
发布时间：2024-05-04 17:57:42
以下型号均：
纵向结构方面，为了缓解阻断电压与饱和压降之间的矛盾，英家于2000年推出了Field Stop IGBT，目标在于尽量减少漂移区厚度，从而降低饱和电压。场截止（Field Stop）IGBT起始材料和NPT相同，都是低掺杂的N-衬底，不同在于FS IGBT背面多注入了一个N buffer层，它的掺杂浓度略高于N-衬底，因此可以迅速降低电场强度，使整体电场呈梯形，从而使所需的N-漂移区厚度大大减小。此外，N buffer还可以降低P发射极的发射效率，从而降低了关断时的拖尾电流及损耗。（了解更多NPT与场截止器件的区别请参考：PT，NPT，FS型IGBT的区别）。
以下型号都是库存：
以下型号都是库存：
MDSKSR056-33
VRDM368/50LWCOO
ZB2-BS44C 全新
RXZE1M4C
1492-SP B40 2P 八成新
LW1S-2C2M IDEC 全新
ZCMD21C12 全新原装
PLC-BSP-24DC/21 八成新
YW-E01 全新
YW-E10 全新
VS-V-A-PNP-S-M8
PAM span>
TWDLCAA40DRF
VFD007M43B-ZA
ASD-A2-1521-L
ATV312HU15N4 全新带包装
SAMCO-vm05/SanKen三垦变频器NVERTER VM05-5.5K
DOP-AS57BSTD
TPC7062KX
Z-15GD-B
CH402 FK02-M*AN-NN
HN-DP3数显表
TM218LDA24DRHN
SGMJV-04AAA61
FX2N-8EYR
FP0-E8YT
DVP24XP00R
AFPX-0T-F
IS212MM/2NC-4EO
ASD-B2-0721-B
EVS9326-EP
5SY6232-
纵向结构方面，为了缓解阻断电压与饱和压降之间的矛盾，英家于2000年推出了Field Stop IGBT，目标在于尽量减少漂移区厚度，从而降低饱和电压。场截止（Field Stop）IGBT起始材料和NPT相同，都是低掺杂的N-衬底，不同在于FS IGBT背面多注入了一个N buffer层，它的掺杂浓度略高于N-衬底，因此可以迅速降低电场强度，使整体电场呈梯形，从而使所需的N-漂移区厚度大大减小。此外，N buffer还可以降低P发射极的发射效率，从而降低了关断时的拖尾电流及损耗。（了解更多NPT与场截止器件的区别请参考：PT，NPT，FS型IGBT的区别）。
以下型号都是库存：
以下型号都是库存：
MDSKSR056-33
VRDM368/50LWCOO
ZB2-BS44C 全新
RXZE1M4C
1492-SP B40 2P 八成新
LW1S-2C2M IDEC 全新
ZCMD21C12 全新原装
PLC-BSP-24DC/21 八成新
YW-E01 全新
YW-E10 全新
VS-V-A-PNP-S-M8
PAM span>
TWDLCAA40DRF
VFD007M43B-ZA
ASD-A2-1521-L
ATV312HU15N4 全新带包装
SAMCO-vm05/SanKen三垦变频器NVERTER VM05-5.5K
DOP-AS57BSTD
TPC7062KX
Z-15GD-B
CH402 FK02-M*AN-NN
HN-DP3数显表
TM218LDA24DRHN
SGMJV-04AAA61
FX2N-8EYR
FP0-E8YT
DVP24XP00R
AFPX-0T-F
IS212MM/2NC-4EO
ASD-B2-0721-B
EVS9326-EP
5SY6232-